Test method for disoclation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 32282-2015 | 氮化镓单晶位错密度的测量阴极荧光显微镜法 | 现行 | 2016-11-01 | 相似 |
| GB/T 33763-2017 | 蓝宝石单晶位错密度测量方法 | 现行 | 2017-12-01 | 相似 |
| GB/T 34481-2017 | 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 | 现行 | 2018-07-01 | 相似 |
| GB/T 8760-2006 | 砷化镓单晶位错密度的测量方法 | 废止 | 2006-11-01 | 相似 |
| GB/T 5252-2006 | 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 | 废止 | 2006-11-01 | 相似 |
| T/CASAS 053-2025 | 氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法 | 现行 | 2025-05-20 | —— |
| GB/T 5252-2020 | 锗单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2021-05-01 | 相似 |
| GB/T 8760-2020 | 砷化镓单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2021-08-01 | 相似 |
| GB/T 47080-2026 | 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法 | 即将实施 | 2026-08-01 | 相似 |
| GB/T 41765-2022 | 碳化硅单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2023-05-01 | 相似 |
| T/IAWBS 014-2021 | 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 | 现行 | 2021-09-22 | —— |
| GB/T 11297.6-1989 | 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 | 现行 | 1990-01-01 | 相似 |
| GB/T 44558-2024 | III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法 | 现行 | 2025-04-01 | 相似 |
| SJ/T 10557.3-1994 | 电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法 | 现行 | 1994-12-01 | 相似 |
| SJ/T 11489-2015 | 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法 | 现行 | 2015-10-01 | 相似 |
| SJ/T 11490-2015 | 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法 | 现行 | 2015-10-01 | 相似 |
| GB/T 43088-2023 | 微束分析 分析电子显微术 金属薄晶体试样中位错密度的测定方法 | 现行 | 2024-04-01 | 相似 |
| T/CASAS 013-2021 | 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法 | 现行 | 2021-12-01 | —— |