Test method for dislocation imaging in III-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 44558-2024 | III族氮化物半导体材料中位错成像的测试透射电子显微镜法 | 现行 | 2024-09-29 | 2025-04-01 |
| GB/T 36646-2018 | 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 32282-2015 | 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-11-01 |
| T/CASAS 053-2025 | 氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法 | 现行 | 2025-05-20 | 2025-05-20 |
| JB/T 8736-1998 | 电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片 | 现行 | 1998-05-28 | 1998-11-01 |
| SJ/T 12006-2025 | 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12005-2025 | 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化硅陶瓷覆铜基板 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| GB/T 48168-2026 | 半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 15652-1995 | 金属氧化物半导体气敏元件总规范 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 15653-1995 | 金属氧化物半导体气敏元件测试方法 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-04-30 | 2018-07-01 |
| T/CIECCPA 007-2024 | 半导体工业氮氧化物排放要求 | 现行 | 2024-03-04 | 2024-03-08 |
| T/CASAS 016-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| T/CASAS 015-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2020-12-28 | 2021-01-01 |
| SJ/T 11824-2022 | 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |