Test method for dislocation imaging in III-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 1550-1997 | 非本征半导体材料导电类型测试方法 | 废止 | 1997-06-03 | 1997-12-01 |
| GB/T 14264-2009 | 半导体材料术语 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/Z 37664.3-2025 | 纳米制造 关键控制特性 发光纳米材料 第3部分: 时间相关单光子计数法测量半导体量子点的荧光寿命 | 现行 | 2025-12-03 | |
| GB/T 4937.39-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第39部分：半导体器件用有机材料的潮气扩散率和水溶解度测量 | 即将实施 | 2025-12-31 | 2026-07-01 |
| T/ZJATA 0017-2023 | 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备 | 现行 | 2023-06-20 | 2023-07-20 |
| YS/T 1828-2025 | 半导体材料掺杂用扩散膜 | 即将实施 | 2025-12-17 | 2026-07-01 |
| GB/T 42709.2-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第2部分：薄膜材料拉伸试验方法 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 42709.21-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第21部分：MEMS薄膜材料泊松比测试方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.6-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.12-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第12部分：采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 47239.5-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第5部分：柔性材料热特性测试方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48120-2026 | 精细陶瓷 室内照明环境下半导体光催化材料测试用LED光源 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 12565-1990 | 半导体器件 光电子器件分规范 (可供认证用) | 现行 | 1990-12-12 | 1991-10-01 |
| GB/T 6798-1996 | 半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理 | 现行 | 1996-07-09 | 1997-01-01 |
| GB/T 8750-2022 | 半导体封装用金基键合丝、带 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-07-01 |
| SN/T 3480.4-2016 | 进口电子电工行业成套设备检验技术要求 第4部分：半导体封装测试设备 | 现行 | 2016-08-23 | 2017-03-01 |
| GB/T 12669-2012 | 半导体变流串级调速装置总技术条件 | 现行 | 2012-06-29 | 2012-11-01 |
| GB/T 43894.1-2024 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD） | 现行 | 2024-04-25 | 2024-11-01 |