Test method for dislocation imaging in III-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 47080-2026 | 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| GB/T 41765-2022 | 碳化硅单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-05-01 |
| GB/T 34481-2017 | 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 | 现行 | 2017-10-14 | 2018-07-01 |
| T/CASAS 013-2021 | 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |
| T/IAWBS 014-2021 | 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 | 现行 | 2021-09-15 | 2021-09-22 |
| SJ/T 11489-2015 | 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11490-2015 | 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GB/T 11114-1989 | 人造石英晶体位错的X 射线形貌检测方法 | 废止 | 1989-03-31 | 1990-03-01 |
| GB/T 8760-2006 | 砷化镓单晶位错密度的测量方法 | 废止 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 5252-2006 | 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 | 废止 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 11297.6-1989 | 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 | 现行 | 1989-03-31 | 1990-01-01 |
| GB/T 30654-2014 | Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 30655-2014 | 氮化物LED外延片内量子效率测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| HJ 1191-2021 | 水质 叠氮化物的测定 分光光度法 | 现行 | 2021-09-17 | 2022-04-01 |
| GB/T 40535.1-2021 | 连续氮化物陶瓷纤维测试方法 第1部分：氮含量 | 现行 | 2021-08-20 | 2022-03-01 |
| GB/T 30653-2014 | Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 30075-2025 | LED用稀土氮化物红色荧光粉 | 即将实施 | 2025-10-05 | 2026-05-01 |
| GB/T 30075-2013 | LED用稀土氮化物红色荧光粉 | 废止 | 2013-12-17 | 2014-09-01 |