Test method for dislocation imaging in III-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 46789-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2020-12-28 | 2021-01-01 |
| T/CECA 35-2019 | 金属氧化物半导体气体传感器 | 现行 | 2019-12-28 | 2020-01-28 |
| T/CECA 35-2019 | 金属氧化物半导体气体传感器 | 现行 | 2019-12-28 | 2020-01-28 |
| GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 16555-2017 | 含碳、碳化硅、氮化物耐火材料化学分析方法 | 废止 | 2017-09-07 | 2018-08-01 |
| GB/T 16555-2025 | 含碳、碳化硅、氮化物耐火材料化学分析方法 | 即将实施 | 2025-08-29 | 2026-03-01 |
| GB/T 16555-2008 | 含碳、碳化硅、氮化物耐火材料化学分析方法 | 废止 | 2008-06-26 | 2009-04-01 |
| GB/T 43088-2023 | 微束分析 分析电子显微术 金属薄晶体试样中位错密度的测定方法 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 33763-2017 | 蓝宝石单晶位错密度测量方法 | 现行 | 2017-05-31 | 2017-12-01 |
| SJ/T 10557.3-1994 | 电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法 | 现行 | 1994-08-08 | 1994-12-01 |
| GB/T 5252-2020 | 锗单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2020-06-02 | 2021-05-01 |
| GB/T 8760-2020 | 砷化镓单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2020-09-29 | 2021-08-01 |