| SJ/T 11820-2022 | 半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2026-03-01 | 找相似 |
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| GB/T 43366-2023 | 宇航用半导体分立器件通用规范 | 现行 | 2024-03-01 | 找相似 |
| GB/T 6571-1995 | 半导体器件分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 | 现行 | 1996-04-01 | 找相似 |
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| GB/T 7581-1987 | 半导体分立器件外形尺寸 | 现行 | 1987-11-01 | 找相似 |
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| GB/T 21039.1-2007 | 半导体器件分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2007-11-01 | 找相似 |
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| GB/T 4589.1-2006 | 半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 | 现行 | 2007-02-01 | 找相似 |
| GB/T 15651.2-2003 | 半导体分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性 | 现行 | 2004-08-01 | 找相似 |
| GB/T 15651.3-2003 | 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件测试方法 | 现行 | 2004-08-01 | 找相似 |