Test method for resistivity of semiconductor wafers and sheet resistance of semiconductor films—Noncontact eddy-current gauge
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 6616-2023 | 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| SJ/T 11487-2015 | 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GB/T 6616-2009 | 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| GB/T 47239.6-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第6部分：柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 43894.1-2024 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD） | 现行 | 2024-04-25 | 2024-11-01 |
| GB/T 14140-2025 | 半导体晶片直径测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 26070-2010 | 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| GB/T 24578-2024 | 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 | 现行 | 2024-07-24 | 2025-02-01 |
| GB/T 43894.2-2026 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA） | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| GB/T 43894.3-2026 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR） | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| SJ/T 1146-1993 | 电容器用有机薄膜体积电阻率试验方法 | 废止 | 1993-12-17 | 1994-06-01 |
| GB/T 3048.3-2007 | 电线电缆电性能试验方法 第3部分：半导电橡塑材料体积电阻率试验 | 现行 | 2007-12-03 | 2008-05-01 |
| T/GVS 005-2022 (2) | 半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试规范 | 现行 | 2022-03-28 | 2022-03-28 |
| T/GVS 005-2022 | 半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试规范 | 现行 | 2022-03-28 | 2022-03-28 |