Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CFA 0202050104-2-2016 | 铸造熔炼用碳化硅 技术条件 | 现行 | 2016-11-08 | 2017-01-31 |
| T/CASAS 001-2018 | 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范 | 现行 | 2018-09-21 | 2018-09-21 |
| T/CEC 187-2018 | 电磁式电压互感器用碳化硅消谐器技术规范 | 现行 | 2018-11-06 | 2019-02-01 |
| T/CNIA 0011-2019 | 气相沉积法碳化硅涂层 | 现行 | 2019-02-13 | 2019-06-01 |
| T/SAS 0009-2020 | 轻量化碳化硅反射镜镜坯 | 现行 | 2020-11-20 | 2021-01-01 |
| T/SAS 0008-2020 | 轻量化碳化硅反射镜 | 现行 | 2020-11-20 | 2021-01-01 |
| T/CSAE 232-2021 | 电动汽车碳化硅电机控制器效率测试方法 | 现行 | 2021-10-26 | 2021-10-26 |
| T/NXCL 002-2021 | 常压烧结碳化硅陶瓷防弹材料 | 现行 | 2021-11-11 | 2021-11-11 |
| T/NXCL 001-2021 | 精细陶瓷用亚微米碳化硅微粉 | 现行 | 2021-11-11 | 2021-11-11 |
| T/ZJATA 0017-2023 | 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备 | 现行 | 2023-06-20 | 2023-07-20 |
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