Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared interference
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 14146-2009 | 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 14863-2013 | 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 | 废止 | 2013-12-31 | 2014-08-15 |
| GB/T 30652-2014 | 硅外延用三氯氢硅 | 废止 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 47917-2026 | 300mm硅外延片 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 004.1-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| YS/T 1745-2025 | 分子束外延（MBE）用高纯铝源 | 现行 | 2025-04-10 | 2025-11-01 |
| T/CNIA 0061-2020 | 硅外延用四氯化硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 现行 | 2020-05-27 | 2020-08-01 |
| T/ICMTIA SM006-2021 | 集成电路线宽65nm-14nm逻辑工艺用300mm P/P-型硅外延片 | 现行 | 2021-05-31 | 2021-07-30 |
| T/ZJATA 0017-2023 | 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备 | 现行 | 2023-06-20 | 2023-07-20 |
| ZJM-002-3547-2023 | 高压MOSFET用200 mm硅外延片 | 现行 | 2023-11-07 | 2023-11-07 |
| GB/T 25188-2010 | 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法 | 现行 | 2010-09-26 | 2011-08-01 |
| GB/T 29507-2013 | 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 | 现行 | 2013-05-09 | 2014-02-01 |
| GB/T 40913-2021 | 玻璃瓶罐热端涂层厚度的测定方法 | 现行 | 2021-11-26 | 2022-06-01 |
| GB/T 22520-2008 | 厚度指示表 | 现行 | 2008-11-12 | 2009-05-01 |