Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared interference
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 35310-2017 | 200mm硅外延片 | 现行 | 2017-12-29 | 2018-07-01 |
| GB/T 29056-2025 | 硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 004.1-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 027-2023 | 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法 | 现行 | 2023-06-30 | 2023-07-01 |
| T/ZZB 2833-2022 | 高压MOSFET用200 mm硅外延片 | 现行 | 2022-12-08 | 2022-12-31 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| YS/T 1060-2015 | 硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷含量的测定 气相色谱法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| YS/T 1059-2015 | 硅外延用三氯氢硅中总碳的测定 气相色谱法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11471-2014 | 发光二极管外延片测试方法 | 现行 | 2014-10-14 | 2015-04-01 |
| SJ/T 11470-2014 | 发光二极管外延片 | 现行 | 2014-10-14 | 2015-04-01 |
| JB/T 5631-1991 | 半导体器件外延炉能耗分等 | 废止 | 1991-08-27 | 1992-07-01 |
| YS/T 24-1992 | 外延钉缺陷的检验方法 | 废止 | 1992-03-09 | 1993-01-01 |
| DB13/T 5118-2019 | 4H 碳化硅 N 型同质外延片通用技术要求 | 废止 | 2019-11-28 | 2019-12-28 |
| GB/T 14142-1993 | 硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法 | 废止 | 1993-02-06 | 1993-10-01 |
| GB/T 14139-2009 | 硅外延片 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |