Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for lower power light-emitting diodes
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 2658.6-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.13-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 11398-2009 | 功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| T/CASAS 011.2-2021 | 车规级半导体功率模块测试认证规范 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |
| SJ/T 12022-2025 | 功率半导体模块用有机硅凝胶 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12021-2025 | 功率半导体模块用环氧灌封胶 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12006-2025 | 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12005-2025 | 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化硅陶瓷覆铜基板 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| GB/T 48118-2026 | 功率半导体模块用陶瓷覆铜板 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 43366-2023 | 宇航用半导体分立器件通用规范 | 现行 | 2023-11-27 | 2024-03-01 |
| GB/T 6571-1995 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 7581-1987 | 半导体分立器件外形尺寸 | 现行 | 1987-03-27 | 1987-11-01 |
| GB/T 5965-2000 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第一篇 双极型单片数字集成电路门电路(不包括自由逻辑阵列) 空白详细规范 | 现行 | 2000-01-03 | 2000-07-01 |
| GB/T 6588-2000 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 | 现行 | 2000-10-17 | 2001-10-01 |
| GB/T 17940-2000 | 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 | 现行 | 2000-01-03 | 2000-07-01 |
| GB/T 13151-2005 | 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-03-23 | 2005-10-01 |
| GB/T 13150-2005 | 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-03-23 | 2005-10-01 |