Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for lower power light-emitting diodes
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 42709.35-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第35部分：柔性MEMS器件弯曲形变下的电特性测试方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.8-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第8部分：带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.40-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第40部分：MEMS惯性冲击开关阈值测试方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.38-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第38部分：MEMS互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.36-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第 36 部分：MEMS 压电薄膜的环境及介电耐压试验方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.21-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第21部分：MEMS薄膜材料泊松比测试方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.6-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.12-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第12部分：采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.22-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第22部分：柔性衬底导电薄膜机电拉伸测试方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.29-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第29部分：室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 47239.2-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第2部分：柔性器件的电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压评价方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| SJ/T 10259-1991 | 半导体集成电路CD2822CP双音频功率放大器详细规范 | 现行 | 1991-11-12 | 1992-01-01 |
| GB/T 36356-2018 | 功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 36357-2018 | 中功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| T/CPSS 1004-2025 | 车规级功率半导体模块动态特性测试规范 | 现行 | 2025-01-22 | 2025-01-23 |
| T/CASAS 015-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| T/IAWBS 004-2021 | 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法 | 现行 | 2021-09-16 | 2021-09-23 |
| T/IAWBS 004-2017 | 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |