Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 17574.20-2006 | 半导体器件 集成电路 第2-20部分：数字集成电路 低压集成电路族规范 | 现行 | 2007-05-01 | 找相似 |
| GB/T 4937.1-2006 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第1部分: 总则 | 现行 | 2007-02-01 | 找相似 |
| GB/T 20522-2006 | 半导体器件 第14-3部分: 半导体传感器-压力传感器 | 现行 | 2007-02-01 | 找相似 |
| GB/T 12750-2006 | 半导体器件 集成电路 第11部分：半导体集成电路分规范(不包括混合电路) | 现行 | 2007-02-01 | 找相似 |
| GB/T 20521-2006 | 半导体器件 第14-1部分: 半导体传感器-总则和分类 | 现行 | 2007-02-01 | 找相似 |
| GB/T 4937.2-2006 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压 | 现行 | 2007-02-01 | 找相似 |
| GB/T 8446.2-2022 | 电力半导体器件用散热器 第2部分：热阻和流阻测量方法 | 现行 | 2022-10-01 | 找相似 |
| GB/T 21039.1-2007 | 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2007-11-01 | 找相似 |
| GB/T 20516-2006 | 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件 | 现行 | 2007-02-01 | 找相似 |
| GB/T 4589.1-2006 | 半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 | 现行 | 2007-02-01 | 找相似 |
| GB/T 20515-2006 | 半导体器件 集成电路 第5部分：半定制集成电路 | 现行 | 2007-02-01 | 找相似 |
| GB/T 17574.10-2003 | 半导体器件 集成电路 第2-10部分:数字集成电路 集成电路动态读/写存储器空白详细规范 | 现行 | 2004-08-01 | 找相似 |
| GB/T 15651.2-2003 | 半导体分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性 | 现行 | 2004-08-01 | 找相似 |
| GB/T 15651.3-2003 | 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件 测试方法 | 现行 | 2004-08-01 | 找相似 |
| GB/T 19403.1-2003 | 半导体器件 集成电路 第11部分:第1篇:半导体集成电路 内部目检 (不包括混合电路) | 现行 | 2004-08-01 | 找相似 |
| GB/T 2900.66-2004 | 电工术语 半导体器件和集成电路 | 现行 | 2004-12-01 | 找相似 |
| GB/T 18904.5-2003 | 半导体器件 第12-5部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的pin光电二极管空白详细规范 | 现行 | 2003-08-01 | 找相似 |
| GB/T 18500.2-2001 | 半导体器件 集成电路 第4部分:接口集成电路 第二篇:线性模拟/数字转换器(ADC)空白详细规范 | 现行 | 2002-06-01 | 找相似 |