首页/GB/T 45716.1-2026 相似标准

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验

Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)—Part 1: Fast bias-temperature instability test for MOSFETs

GB/T 45716.1-2026推荐性国家标准

即将实施

上传时间：2026-09-13
格式：pdf

GB/T 45716.1-2026 相似标准 第14页

更新时间 2026-10-25
标准号标准名称状态发布日期实施日期
GB/T 4937.25-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第25部分：温度循环即将实施2025-12-022026-07-01
GB/T 42706.3-2025电子元器件半导体器件长期贮存 第3部分：数据即将实施2025-12-022026-07-01
GB/T 4937.24-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第24部分：加速耐湿 无偏置强加速应力试验即将实施2025-12-022026-07-01
GB/T 20521.2-2025半导体器件 第14-2部分：半导体传感器 霍尔元件即将实施2025-12-022026-07-01
GB/T 46788-2025半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的锡须的环境接收要求即将实施2025-12-022026-07-01
GB/T 4937.29-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第29部分：闩锁试验即将实施2025-12-022026-07-01
GB/T 20521.5-2025半导体器件 第14-5部分：半导体传感器 PN结半导体温度传感器即将实施2025-12-022026-07-01
GB/T 4937.33-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第33部分：加速耐湿 无偏置高压蒸煮即将实施2025-12-022026-07-01
GB/T 4937.36-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分：稳态加速度即将实施2025-12-022026-07-01
GB/T 4937.38-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分：带存储的半导体器件的软错误试验方法即将实施2025-12-022026-07-01
GB/T 4937.44-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验方法即将实施2025-12-022026-07-01
GB/Z 127.1-2025航空电子过程管理 航空航天合格电子元器件（AQEC） 第1部分：集成电路和半导体分立器件现行2025-12-03
GB/Z 107-2025半导体器件 基于扫描的半导体器件退化水平评估现行2025-12-03
GB/T 4937.37-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法即将实施2025-12-312026-07-01
GB/T 4937.8-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第8部分：密封即将实施2025-12-312026-07-01
GB/T 46809.1-2025半导体器件 第19-1部分：智能传感器 智能传感器的控制方案即将实施2025-12-312026-07-01
GB/T 4937.39-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第39部分：半导体器件用有机材料的潮气扩散率和水溶解度测量即将实施2025-12-312026-07-01
GB/T 15879.612-2025半导体器件的机械标准化 第6-12部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 密节距焊盘阵列封装（FLGA）的设计指南即将实施2025-12-312026-07-01