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SJ/T 11225-2000
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电子元器件详细规范 3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管 |
现行 |
2000-10-01 |
找相似 |
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SJ/T 11226-2000
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电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管 |
现行 |
2000-10-01 |
找相似 |
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SJ/T 10049-1991
|
3DA1162型晶体管详细规范 |
现行 |
1991-07-01 |
找相似 |
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SJ/T 10065-1991
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BT33型PN硅单结晶体管详细规范 |
现行 |
1991-07-01 |
找相似 |
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GB/T 10067.34-2015
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电热装置基本技术条件 第34部分：晶体管式高频感应加热装置 |
现行 |
2016-05-01 |
找相似 |
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T/CASAS 022-2022
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三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范 |
现行 |
2022-12-09 |
—— |
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T/CI 161-2022
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1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型 晶体管（IGBT）驱动器 |
现行 |
2022-12-15 |
—— |
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T/CASAS 005-2022
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用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 |
现行 |
2022-09-16 |
—— |
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T/CASAS 035-2024
|
用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法 |
现行 |
2024-09-30 |
—— |
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T/CASAS 034-2024
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用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 |
现行 |
2024-09-30 |
—— |
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T/CASAS 016-2022
|
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 |
现行 |
2022-07-18 |
—— |
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T/CASAS 015-2022
|
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 |
现行 |
2022-07-18 |
—— |
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T/CASAS 006-2020
|
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 |
现行 |
2021-01-01 |
—— |
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T/CASAS 007-2020
|
电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范 |
现行 |
2020-05-25 |
—— |
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GB/T 6217-2026
|
半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范 |
即将实施 |
2026-10-01 |
找相似 |
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GB/T 7576-2026
|
半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范 |
即将实施 |
2026-10-01 |
找相似 |
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SJ/T 2214-2015
|
半导体光电二极管和光电晶体管测试方法 |
现行 |
2015-10-01 |
找相似 |
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SJ/T 2217-2014
|
硅光电晶体管技术规范 |
现行 |
2015-04-01 |
找相似 |