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GB/T 36359-2018
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半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 |
现行 |
2019-01-01 |
找相似 |
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GB/T 43493.1-2023
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半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 |
现行 |
2024-07-01 |
找相似 |
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GB/T 43493.2-2023
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半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 |
现行 |
2024-07-01 |
找相似 |
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GB/T 43493.3-2023
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半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 |
现行 |
2024-07-01 |
找相似 |
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GB/T 4937.34-2024
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半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分：功率循环 |
现行 |
2024-07-01 |
找相似 |
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SJ/T 11866-2022
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半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 |
现行 |
2023-01-01 |
找相似 |
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GB/T 36360-2018
|
半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 |
现行 |
2019-01-01 |
找相似 |
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GB/T 36358-2018
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半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 |
现行 |
2019-01-01 |
找相似 |
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T/IAWBS 009-2019
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功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 |
现行 |
2019-12-31 |
—— |
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SJ/T 11393-2009
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半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 |
现行 |
2010-01-01 |
找相似 |
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SJ/T 11400-2009
|
半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范 |
现行 |
2010-01-01 |
找相似 |
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T/IAWBS 009-2019
|
功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 |
现行 |
2019-12-31 |
—— |
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T/ZSA 47-2020
|
电动汽车用功率半导体器件可靠性试验方法 |
现行 |
2020-12-07 |
—— |
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T/CASAS 011.1-2021
|
车规级半导体功率器件测试认证规范 |
现行 |
2021-12-01 |
—— |
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GB/T 42709.5-2023
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半导体器件 微电子机械器件 第5部分：射频MEMS开关 |
现行 |
2023-09-01 |
找相似 |
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GB/T 20870.4-2024
|
半导体器件 第16-4部分：微波集成电路 开关 |
现行 |
2024-10-26 |
找相似 |
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GB/T 42709.40-2026
|
半导体器件 微电子机械器件 第40部分：MEMS惯性冲击开关阈值测试方法 |
即将实施 |
2027-02-01 |
找相似 |
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GB/T 48168-2026
|
半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法 |
即将实施 |
2027-03-01 |
找相似 |