Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for low power bipolar transistors
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 20516-2006 | 半导体器件分立器件 第4部分：微波器件 | 现行 | 2006-10-10 | 2007-02-01 |
| GB/T 4589.1-2006 | 半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 | 现行 | 2006-10-10 | 2007-02-01 |
| GB/T 15651.2-2003 | 半导体分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性 | 现行 | 2003-11-24 | 2004-08-01 |
| GB/T 15651.3-2003 | 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件 测试方法 | 现行 | 2003-11-24 | 2004-08-01 |
| GB/T 6352-1998 | 半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 11499-2001 | 半导体分立器件文字符号 | 现行 | 2001-11-05 | 2002-06-01 |
| GB/T 15651.4-2017 | 半导体器件分立器件 第5-4部分:光电子器件半导体激光器 | 现行 | 2017-05-31 | 2017-12-01 |
| GB/T 6219-1998 | 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6590-1998 | 半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 17573-1998 | 半导体器件分立器件和集成电路 第1部分:总则 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6351-1998 | 半导体器件分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 12560-1999 | 半导体器件分立器件分规范 | 现行 | 1999-08-02 | 2000-03-01 |
| GB/T 4023-2015 | 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 | 现行 | 2015-12-31 | 2017-01-01 |
| SJ/T 10149-1991 | 电子元器件图形库 半导体分立器件图形 | 现行 | 1991-04-02 | 1991-07-01 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-04-30 | 2018-07-01 |
| SJ/T 10416-1993 | 半导体分立器件芯片总规范 | 现行 | 1993-12-17 | 1994-06-01 |
| SJ/T 10585-1994 | 半导体分立器件表面安装器件外型尺寸及引线框架尺寸 | 现行 | 1994-08-08 | 1994-12-01 |
| SJ/T 11820-2022 | 半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |