Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for low power bipolar transistors
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 12070-2025 | 半导体器件分立器件 碳化硅二极管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12071-2025 | 半导体器件分立器件碳化硅二极管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 14119-1993 | 半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器空白详细规范(可供认证用) | 现行 | 1993-01-21 | 1993-08-01 |
| JB/T 6307.4-1992 | 电力半导体模块测试方法双极型晶体管臂和臂对 | 现行 | 1992-06-26 | 1993-01-01 |
| JB/T 6307.5-1994 | 电力半导体模块测试方法 双极型晶体管单相桥和三相桥 | 现行 | 1994-12-09 | 1995-06-01 |
| GB/T 36359-2018 | 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 4937.34-2024 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分：功率循环 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| SJ/T 11866-2022 | 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 36360-2018 | 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 36358-2018 | 半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| T/IAWBS 009-2019 | 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| SJ/T 11393-2009 | 半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11400-2009 | 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| T/IAWBS 009-2019 | 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/ZSA 47-2020 | 电动汽车用功率半导体器件可靠性试验方法 | 现行 | 2020-12-06 | 2020-12-07 |