Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for low power bipolar transistors
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 011.1-2021 | 车规级半导体功率器件测试认证规范 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |
| T/CEC 155-2018 | 柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管 （IGBT）器件的一般要求 | 现行 | 2018-01-24 | 2018-04-01 |
| T/CEC 155-2018 | 柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT)器件的一般要求 | 现行 | 2018-01-24 | 2018-04-01 |
| SJ/T 10259-1991 | 半导体集成电路CD2822CP双音频功率放大器详细规范 | 现行 | 1991-11-12 | 1992-01-01 |
| GB/T 36356-2018 | 功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 36357-2018 | 中功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| T/CPSS 1004-2025 | 车规级功率半导体模块动态特性测试规范 | 现行 | 2025-01-22 | 2025-01-23 |
| T/CASAS 015-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| T/IAWBS 004-2021 | 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法 | 现行 | 2021-09-16 | 2021-09-23 |
| T/IAWBS 004-2017 | 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| SJ/T 2658.6-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.13-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 11398-2009 | 功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| T/CASAS 011.2-2021 | 车规级半导体功率模块测试认证规范 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |
| SJ/T 12022-2025 | 功率半导体模块用有机硅凝胶 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12021-2025 | 功率半导体模块用环氧灌封胶 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12006-2025 | 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12005-2025 | 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化硅陶瓷覆铜基板 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |