Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for low power bipolar transistors
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 1838-2016 | 半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1832-2016 | 半导体分立器件 3DK102型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1477-2016 | 半导体分立器件 3CG120型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1830-2016 | 半导体分立器件 3DK101型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1839-2016 | 半导体分立器件 3DK108型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1831-2016 | 半导体分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| GB/T 5965-2000 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第一篇 双极型单片数字集成电路门电路(不包括自由逻辑阵列) 空白详细规范 | 现行 | 2000-01-03 | 2000-07-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 43366-2023 | 宇航用半导体分立器件通用规范 | 现行 | 2023-11-27 | 2024-03-01 |
| GB/T 6571-1995 | 半导体器件分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 15651-1995 | 半导体器件分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 7581-1987 | 半导体分立器件外形尺寸 | 现行 | 1987-03-27 | 1987-11-01 |
| GB/T 6588-2000 | 半导体器件分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 | 现行 | 2000-10-17 | 2001-10-01 |
| GB/T 13151-2005 | 半导体器件分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-03-23 | 2005-10-01 |
| GB/T 13150-2005 | 半导体器件分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-03-23 | 2005-10-01 |
| GB/T 6589-2002 | 半导体器件分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范 | 现行 | 2002-12-04 | 2003-05-01 |
| GB/T 21039.1-2007 | 半导体器件分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2007-06-29 | 2007-11-01 |