Determination of impurity content in trichlorosilane for silicon epitaxy—Inductively coupled plasma mass spectrometry
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 6730.5-2007 | 铁矿石 全铁含量的测定 三氯化钛还原法 | 废止 | 2007-08-14 | 2008-03-01 |
| YS/T 539.7-2024 | 镍基合金粉化学分析方法 第7部分：磷含量的测定 正丁醇-三氯甲烷萃取分光光度法 | 现行 | 2024-10-24 | 2025-05-01 |
| YS/T 539.6-2024 | 镍基合金粉化学分析方法 第6部分：铁含量的测定 三氯化钛－重铬酸钾滴定法 | 现行 | 2024-10-24 | 2025-05-01 |
| SH/T 1845-2024 | 塑料 聚丙烯中1,2-二氯苯/1,2,4-三氯苯可溶级分含量的测定 升温淋洗分级法 | 现行 | 2024-03-29 | 2024-10-01 |
| T/CWAN 0029.5-2021 | 镍基焊接材料化学分析方法 第5部分：磷含量测定 正丁醇-三氯甲烷萃取分光光度法 | 现行 | 2021-01-12 | 2021-03-01 |
| GB/T 30654-2014 | Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 30655-2014 | 氮化物LED外延片内量子效率测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 14015-1992 | 硅-蓝宝石外延片 | 现行 | 1992-12-28 | 1993-08-01 |
| GB/T 44334-2024 | 埋层硅外延片 | 现行 | 2024-08-23 | 2025-03-01 |
| GB/T 8758-2006 | 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法 | 现行 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 24575-2009 | 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 30110-2013 | 空间红外探测器碲镉汞外延材料参数测试方法 | 现行 | 2013-12-17 | 2014-05-15 |
| GB/T 14139-2019 | 硅外延片 | 现行 | 2019-06-04 | 2020-05-01 |
| GB/T 42905-2023 | 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 30653-2014 | Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |