Determination of impurity content in trichlorosilane for silicon epitaxy—Inductively coupled plasma mass spectrometry
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 14847-2025 | 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 004.1-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 027-2023 | 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法 | 现行 | 2023-06-30 | 2023-07-01 |
| T/ZZB 2833-2022 | 高压MOSFET用200 mm硅外延片 | 现行 | 2022-12-08 | 2022-12-31 |
| T/IAWBS 007-2018 | 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| GB/T 42905-2023 | 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法（外文版EN） | 现行 | 2024-04-12 | |
| YS/T 14-2015 | 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| YS/T 15-2015 | 硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11471-2014 | 发光二极管外延片测试方法 | 现行 | 2014-10-14 | 2015-04-01 |
| SJ/T 11470-2014 | 发光二极管外延片 | 现行 | 2014-10-14 | 2015-04-01 |
| GB/T 30856-2014 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-04-01 |
| JB/T 5631-1991 | 半导体器件外延炉能耗分等 | 废止 | 1991-08-27 | 1992-07-01 |
| YS/T 24-1992 | 外延钉缺陷的检验方法 | 废止 | 1992-03-09 | 1993-01-01 |
| YS/T 23-1992 | 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法 | 废止 | 1992-03-09 | 1993-01-01 |