局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制造技术 第1部分:基于SOI硅片的工艺规范

MEMS fabrication technology of EFPI fiber optic ultrasonic sensor probe for partial discharge detectionPart 1: process specification using the SOI wafer

T/SEPA 4-2022电力、热力、燃气及水生产和供应业

现行

更新日期:2026-09-12

标准状态

发布日期

2022-12-01

实施日期

2023-02-01

基础信息

标准号

T/SEPA 4-2022

团体名称

上海市电力行业协会

包含专利

标准分类

中国标准分类号

K40

国际标准分类号

29.020

行业分类

D441 电力生产

标准层级

团体标准

适用范围

本文件规定了采用MEMS技术制作局部放电EFPI光纤超声传感器探头时SOI硅片应遵循的工艺规范,包括工艺流程、工艺要求、其他要求及检验。 本文件适用于电力设备局部放电EFPI超声传感器探头SOI芯片的制造和检验。

主要技术内容

本文件规定了采用MEMS技术制作局部放电EFPI光纤超声传感器探头时SOI硅片应遵循的工艺规范,包括工艺流程、工艺要求、其他要求及检验。本文件适用于电力设备局部放电EFPI超声传感器探头SOI芯片的制造和检验。

起草单位

国网上海市电力公司、西北工业大学、国网宁夏电力有限公司电力科学研究院、国网智能电网研究院有限公司、国网山西省电力公司、西安茂荣电力设备有限公司、华东电力试验研究院有限公司

起草人

司文荣、虞益挺、傅晨钊、吴旭涛、鞠登峰、黄辉、赵莹莹、陆启宇、吴欣烨、聂鹏晨、卢晶、周秀、何宁辉、药炜、陈川、梁基重、张莹、朱炯、胡正勇、倪鹤立、王伟、曹培

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