Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| JB/T 6307.2-1992 | 电力半导体模块测试方法整流管单相桥 | 废止 | 1992-06-26 | 1993-01-01 |
| JB/T 8757-1998 | 电力半导体器件用热管散热器 | 废止 | 1998-05-26 | 1998-12-01 |
| JB/T 11623-2013 | 平面厚膜半导体气敏元件 | 现行 | 2013-12-31 | 2014-07-01 |
| JB/T 5537-2006 | 半导体压力传感器 | 现行 | 2006-12-31 | 2007-07-01 |
| GB/T 14030-1992 | 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 | 现行 | 1992-12-17 | 1993-08-01 |
| JB/T 9684-2000 | 电力半导体器件用散热器选用导则 | 废止 | 2000-04-24 | 2000-10-01 |
| JB/T 9687.2-1999 | 电力半导体器件用钨圆片 | 现行 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| GB/T 42836-2023 | 微波半导体集成电路 混频器 | 现行 | 2023-08-06 | 2023-12-01 |
| GB/T 42970-2023 | 半导体集成电路 视频编解码电路测试方法 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-01-01 |
| GB/T 42709.7-2023 | 半导体器件 微电子机械器件 第7部分：用于射频控制和选择的MEMS体声波滤波器和双工器 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |
| GB/T 35010.1-2018 | 半导体芯片产品 第1部分：采购和使用要求 | 现行 | 2018-03-15 | 2018-08-01 |
| GB/T 13062-2018 | 半导体器件 集成电路 第21-1部分：膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范(采用鉴定批准程序) | 现行 | 2018-12-28 | 2019-07-01 |
| GB/T 4937.31-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的） | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |
| GB/T 4937.23-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |
| GB/T 35010.8-2018 | 半导体芯片产品 第8部分：数据交换的EXPRESS格式 | 现行 | 2018-03-15 | 2018-08-01 |
| GB/T 42706.2-2023 | 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分：退化机理 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-09-01 |
| GB/T 35010.2-2018 | 半导体芯片产品 第2部分：数据交换格式 | 现行 | 2018-03-15 | 2018-08-01 |
| GB/T 41853-2022 | 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量 | 现行 | 2022-10-12 | 2022-10-12 |