| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/NXCL 001-2021 | 精细陶瓷用亚微米碳化硅微粉 | 现行 | 2021-11-11 | 2021-11-11 |
| T/ZJATA 0017-2023 | 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备 | 现行 | 2023-06-20 | 2023-07-20 |
| T/IAWBS 021-2024 | 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法 | 现行 | 2024-04-01 | 2024-04-09 |
| YB/T 4167-2026 | 烧成铝碳化硅砖 | 即将实施 | 2026-04-16 | 2026-11-01 |
| JB/T 15530-2026 | 碳化硅特种制品重结晶碳化硅辊棒 | 即将实施 | 2026-04-28 | 2026-11-02 |
| HG/T 6465-2026 | 非金属化工设备 碳化硅换热部件 | 即将实施 | 2026-04-16 | 2026-11-01 |
| SJ/T 12015-2025 | 碳化硅颗粒铝合金基复合板 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12070-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12071-2025 | 半导体器件 分立器件碳化硅二极管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 41325-2022 | 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片 | 现行 | 2022-03-09 | 2022-10-01 |
| GB/T 19199-2015 | 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-07-01 |
| GB/T 24574-2009 | 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 42676-2023 | 半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 41751-2022 | 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-02-01 |