| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/ZZB 2283-2021 | 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉 | 现行 | 2021-08-26 | 2021-09-26 |
| T/CIET 1279-2025 | 碳化硅单晶生长技术规范 物理气相传输法(PVT) | 现行 | 2025-05-14 | 2025-05-14 |
| T/CASAS 048-2025 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨 | 现行 | 2025-04-23 | 2025-04-23 |
| T/CASAS 036-2025 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法 | 现行 | 2025-04-23 | 2025-04-23 |
| T/IAWBS 001-2021 | 碳化硅单晶 | 现行 | 2021-09-16 | 2021-09-23 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 001-2017 | 碳化硅单晶 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| GB/T 47404-2026 | 碳化硅单晶 | 即将实施 | ||
| JC/T 2796-2023 | 碳化硅单晶用高纯石墨粉 | 现行 | 2023-12-20 | 2024-07-01 |
| YS/T 1600-2023 | 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 | 现行 | 2023-04-21 | 2023-11-01 |
| SJ/T 11502-2015 | 碳化硅单晶抛光片规范 | 废止 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GB/T 30656-2014 | 碳化硅单晶抛光片 | 废止 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 005-2018 | 6 英寸碳化硅单晶抛光片 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/ZSA 72-2019 | 碳化硅单晶 | 现行 | 2019-12-31 | 2020-03-01 |
| GB/T 34520.3-2017 | 连续碳化硅纤维测试方法 第3部分:线密度和密度 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-05-01 |