| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 42271-2022 | 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-04-01 |
| GB/T 32278-2025 | 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 47082-2026 | 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| T/IAWBS 016-2022 | 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2022-03-17 | 2022-03-24 |
| SJ/T 11501-2015 | 碳化硅单晶晶型的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11503-2015 | 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11504-2015 | 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11500-2015 | 碳化硅单晶晶向的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GB/T 32278-2015 | 碳化硅单晶片平整度测试方法 | 废止 | 2015-12-10 | 2017-01-01 |
| GB/T 30866-2014 | 碳化硅单晶片直径测试方法 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-02-01 |
| GB/T 30867-2014 | 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-02-01 |
| SJ/T 11499-2015 | 碳化硅单晶电学性能的测试方法 | 废止 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GB/T 11297.6-1989 | 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 | 现行 | 1989-03-31 | 1990-01-01 |
| T/CASAS 053-2025 | 氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法 | 现行 | 2025-05-20 | 2025-05-20 |
| GB/T 41153-2021 | 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 | 现行 | 2021-12-31 | 2022-07-01 |
| SJ/T 11864-2022 | 半绝缘型碳化硅单晶衬底 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 10067.417-2023 | 电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分：碳化硅单晶生长装置 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |
| GB/T 30656-2023 | 碳化硅单晶抛光片 | 现行 | 2023-03-17 | 2023-10-01 |