| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 30868-2025 | 碳化硅单晶片微管密度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| GB/T 11114-1989 | 人造石英晶体位错的X 射线形貌检测方法 | 废止 | 1989-03-31 | 1990-03-01 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| GB/T 31351-2014 | 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法 | 废止 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| GB/T 41325-2022 | 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片 | 现行 | 2022-03-09 | 2022-10-01 |
| GB/T 30868-2014 | 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-02-01 |
| GB/T 19199-2015 | 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-07-01 |
| GB/T 42271-2022 | 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-04-01 |
| GB/T 24574-2009 | 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 32278-2025 | 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 41751-2022 | 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-02-01 |
| GB/T 17170-2015 | 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-07-01 |
| GB/T 32188-2015 | 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-11-01 |
| GB/T 46227-2025 | 半导体单晶材料透过率测试方法 | 即将实施 | 2025-08-29 | 2026-03-01 |
| GB/T 47082-2026 | 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |