半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验

Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers

GB/T 45718-2025推荐性国家标准

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GB/T 45718-2025 相似标准 第2页

更新时间 2026-10-25
标准号标准名称状态实施日期相似标准
GB/Z 37664.3-2025纳米制造 关键控制特性 发光纳米材料 第3部分: 时间相关单光子计数法测量半导体量子点的荧光寿命现行——找相似
GB/T 12565-1990半导体器件 光电子器件分规范 (可供认证用)现行1991-10-01找相似
GB/T 36359-2018半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范现行2019-01-01找相似
GB/T 43366-2023宇航用半导体分立器件通用规范现行2024-03-01找相似
GB/T 6571-1995半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管现行1996-04-01找相似
GB/T 4586-1994半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管现行1995-08-01找相似
GB/T 15651-1995半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件现行1996-04-01找相似
GB/T 18904.3-2002半导体器件 第12-3部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范现行2003-05-01找相似
GB/T 7581-1987半导体分立器件外形尺寸现行1987-11-01找相似
GB/T 5839-1986电子管和半导体器件额定值制现行1986-12-01找相似
GB/T 5965-2000半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第一篇 双极型单片数字集成电路门电路(不包括自由逻辑阵列) 空白详细规范现行2000-07-01找相似
GB/T 6588-2000半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范现行2001-10-01找相似
GB/T 17940-2000半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路现行2000-07-01找相似
GB/T 13151-2005半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范现行2005-10-01找相似
GB/T 13150-2005半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范现行2005-10-01找相似
GB/T 18904.1-2002半导体器件 第12-1部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范现行2003-05-01找相似
GB/T 6589-2002半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范现行2003-05-01找相似
GB/T 18904.4-2002半导体器件 第12-4部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的Pin-FET模块空白详细规范现行2003-05-01找相似