Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 45718-2025 | 半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-09-01 | 找相似 |
| GB/T 19403.1-2003 | 半导体器件 集成电路 第11部分:第1篇:半导体集成电路 内部目检 (不包括混合电路) | 现行 | 2004-08-01 | 找相似 |
| GB/T 4937.31-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的） | 现行 | 2023-12-01 | 找相似 |
| GB/T 43035-2023 | 半导体器件 集成电路 第20部分：膜集成电路和混合膜集成电路总规范 第一篇：内部目检要求 | 现行 | 2023-09-07 | 找相似 |
| GB/T 45720-2025 | 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-09-01 | 找相似 |
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-09-01 | 找相似 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-09-01 | 找相似 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-07-01 | 找相似 |
| GB/T 46789-2025 | 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 | 即将实施 | 2026-07-01 | 找相似 |
| GB/T 46717-2025 | 半导体器件金属化空洞应力试验 | 即将实施 | 2026-05-01 | 找相似 |
| GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 即将实施 | 2026-11-01 | 找相似 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2026-03-01 | 找相似 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2026-07-01 | 找相似 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2026-07-01 | 找相似 |
| GB/T 42709.38-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第38部分：MEMS互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法 | 即将实施 | 2027-02-01 | 找相似 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2027-03-01 | 找相似 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2027-03-01 | 找相似 |
| SJ/T 2658.11-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间 | 现行 | 2016-04-01 | 找相似 |