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半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验

Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors

GB/T 45719-2025推荐性国家标准

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上传时间：2026-03-08
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更新时间 2026-10-25
标准号标准名称状态发布日期实施日期
GB/T 45716-2025半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45719-2025半导体器件金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验现行2025-05-302025-09-01
SJ/T 9014.8.2-2018半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范现行2018-04-302018-07-01
GB/T 46789-2025半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验即将实施2025-12-022026-07-01
GB/T 45716.1-2026半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验即将实施2026-04-302026-11-01
SJ/T 12032-2025半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法现行2025-09-092026-03-01
SJ/T 12067-2025半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范现行2025-12-192026-07-01
SJ/T 12068-2025半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法现行2025-12-192026-07-01
GB/T 48164.2-2026半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法即将实施2026-08-282027-03-01
GB/T 48164.1-2026半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法即将实施2026-08-282027-03-01
GB/T 15652-1995金属氧化物半导体气敏元件总规范现行1995-07-241996-04-01
GB/T 15653-1995金属氧化物半导体气敏元件测试方法现行1995-07-241996-04-01
T/CASAS 016-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法现行2022-07-182022-07-18
T/CASAS 015-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法现行2022-07-182022-07-18
T/CASAS 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范现行2020-12-282021-01-01
SJ/T 11824-2022金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法现行2022-10-202023-01-01
T/CASAS 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范现行2020-12-282021-01-01
T/CECA 35-2019金属氧化物半导体气体传感器现行2019-12-282020-01-28