Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CECA 35-2019 | 金属氧化物半导体气体传感器 | 现行 | 2019-12-28 | 2020-01-28 |
| T/CIECCPA 007-2024 | 半导体工业氮氧化物排放要求 | 现行 | 2024-03-04 | 2024-03-08 |
| GB/T 45718-2025 | 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 46717-2025 | 半导体器件金属化空洞应力试验 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| GB/T 42709.38-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第38部分：MEMS互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 12565-1990 | 半导体器件 光电子器件分规范 (可供认证用) | 现行 | 1990-12-12 | 1991-10-01 |
| GB/T 36359-2018 | 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 43366-2023 | 宇航用半导体分立器件通用规范 | 现行 | 2023-11-27 | 2024-03-01 |
| GB/T 6571-1995 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 15651-1995 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 18904.3-2002 | 半导体器件 第12-3部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范 | 现行 | 1990-12-06 | 2003-05-01 |
| GB/T 7581-1987 | 半导体分立器件外形尺寸 | 现行 | 1987-03-27 | 1987-11-01 |
| GB/T 5839-1986 | 电子管和半导体器件额定值制 | 现行 | 1986-01-29 | 1986-12-01 |
| GB/T 5965-2000 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第一篇 双极型单片数字集成电路门电路(不包括自由逻辑阵列) 空白详细规范 | 现行 | 2000-01-03 | 2000-07-01 |
| GB/T 6588-2000 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 | 现行 | 2000-10-17 | 2001-10-01 |
| GB/T 17940-2000 | 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 | 现行 | 2000-01-03 | 2000-07-01 |
| GB/T 13151-2005 | 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-03-23 | 2005-10-01 |