Semiconductor devices—Stress migration test—Part 1: Copper stress migration test
现行
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 4937.39-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第39部分：半导体器件用有机材料的潮气扩散率和水溶解度测量 | 即将实施 | 2025-12-31 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.40-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第40部分：采用应变仪的板级跌落试验方法 | 即将实施 | 2025-12-31 | 2026-07-01 |
| T/IAWBS 009-2019 | 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| GB/T 4937.9-2026 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第9部分：标志耐久性 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
| GB/T 4937.41-2026 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第41部分：非易失性存储器可靠性试验方法 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
| GB/T 15651.13-2026 | 半导体器件 第5-13部分：光电子器件 LED封装的硫化氢腐蚀试验 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-06-01 |
| GB/T 4937.16-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第16部分：粒子碰撞噪声检测（PIND） | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| GB/T 4937.10-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第10部分：机械冲击 器件和组件 | 即将实施 | 2025-12-31 | 2026-07-01 |
| T/ZSA 47-2020 | 电动汽车用功率半导体器件可靠性试验方法 | 现行 | 2020-12-06 | 2020-12-07 |
| T/CIE 144-2022 | 半导体器件可靠性强化试验方法 | 现行 | 2022-12-31 | 2023-01-31 |
| GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 4937.201-2026 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 4937.28-2026 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第28部分：静电放电（ESD）敏感度测试 带电器件模型（CDM） 器件级 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
| GB/T 42709.2-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第2部分：薄膜材料拉伸试验方法 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 42709.3-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第3部分：拉伸试验用薄膜标准试验片 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12070-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 42709.8-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第8部分：带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |