Semiconductor devices—Stress migration test—Part 1: Copper stress migration test
现行
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 41852-2022 | 半导体器件 微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法 | 现行 | 2022-10-12 | 2022-10-12 |
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45718-2025 | 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45720-2025 | 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 43967-2024 | 空间环境 宇航用半导体器件单粒子效应脉冲激光试验方法 | 现行 | 2024-04-25 | 2024-04-25 |
| DB13/T 6033-2024 | 半导体器件低浓度氢效应试验方法 | 现行 | 2024-10-28 | 2024-11-28 |
| T/IAWBS 009-2019 | 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| SJ/T 11586-2016 | 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| GB/T 4937.25-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第25部分：温度循环 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 46789-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.29-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第29部分：闩锁试验 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.33-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第33部分：加速耐湿 无偏置高压蒸煮 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.36-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分：稳态加速度 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.38-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分：带存储的半导体器件的软错误试验方法 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.44-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验方法 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.37-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法 | 即将实施 | 2025-12-31 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.8-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第8部分：密封 | 即将实施 | 2025-12-31 | 2026-07-01 |