| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 5238-2009 | 锗单晶和锗单晶片（外文版EN） | 废止 | 2018-06-07 | |
| GB/T 32278-2015 | 碳化硅单晶片平整度测试方法 | 废止 | 2015-12-10 | 2017-01-01 |
| GB/T 30866-2014 | 碳化硅单晶片直径测试方法 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-02-01 |
| GB/T 30867-2014 | 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-02-01 |
| GB/T 30868-2014 | 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-02-01 |
| GB/T 43894.3-2026 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR） | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| GB/T 5238-2009 | 锗单晶和锗单晶片 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| DB12/T 101.251-2003 | 工业产品取水定额 硅单晶片 | 废止 | 2003-09-03 | 2003-09-03 |
| GB/T 47909-2026 | 金刚石多晶片 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| T/ZSA 38-2020 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2020-12-17 | 2020-12-18 |
| T/IAWBS 008-2019 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/WLJC 57-2019 | 晶片精密研磨盘 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
| T/WLJC 58-2019 | 晶片精密研磨盘用修正轮 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
| T/WLJC 59-2019 | 石英晶片倒边波形筒 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
| T/ZZB 0497-2018 | 声表面波器件用单晶晶片 | 现行 | 2018-08-31 | 2018-09-30 |