SiC晶片的残余应力检测方法

本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。

本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。

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