| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/ZSA 38-2020 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2020-12-17 | 2020-12-18 |
| T/ZSA 231-2024 | 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2024-05-15 | 2024-05-16 |
| T/CASAS 032-2023 | 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 | 现行 | 2023-06-19 | 2023-06-19 |
| T/IAWBS 016-2022 | 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2022-03-17 | 2022-03-24 |
| T/CASAS 013-2021 | 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |
| T/IAWBS 015-2021 | 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2021-09-15 | 2021-09-22 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 008-2019 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/WLJC 59-2019 | 石英晶片倒边波形筒 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
| T/WLJC 58-2019 | 晶片精密研磨盘用修正轮 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
| T/WLJC 57-2019 | 晶片精密研磨盘 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
| T/ZZB 0497-2018 | 声表面波器件用单晶晶片 | 现行 | 2018-08-31 | 2018-09-30 |
| SJ/T 11497-2015 | 砷化镓晶片热稳定性的试验方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11487-2015 | 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11492-2015 | 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GZB 6-08-02-05 | 压电石英晶片加工工 | 现行 | 2003-02-08 | 2003-02-08 |