Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 34520.1-2017 | 连续碳化硅纤维测试方法 第1部分：束丝上浆率 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-05-01 |
| GB/T 42271-2022 | 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-04-01 |
| GB/T 34520.3-2017 | 连续碳化硅纤维测试方法 第3部分：线密度和密度 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-05-01 |
| GB/T 34520.4-2017 | 连续碳化硅纤维测试方法 第4部分：束丝拉伸性能 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-05-01 |
| GB/T 34520.5-2017 | 连续碳化硅纤维测试方法 第5部分：单纤维拉伸性能 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-05-01 |
| GB/T 34520.7-2017 | 连续碳化硅纤维测试方法 第7部分：高温强度保留率 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-02-01 |
| GB/T 43313-2023 | 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法 | 现行 | 2023-11-27 | 2024-06-01 |
| GB/T 34520.6-2017 | 连续碳化硅纤维测试方法 第6部分：电阻率 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-02-01 |
| GB/T 34520.8-2021 | 连续碳化硅纤维测试方法 第8部分：氧含量 | 现行 | 2021-08-20 | 2022-03-01 |
| GB/T 41765-2022 | 碳化硅单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-05-01 |
| GB/T 30868-2025 | 碳化硅单晶片微管密度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 47082-2026 | 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| T/CASAS 016-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| T/IAWBS 016-2022 | 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2022-03-17 | 2022-03-24 |
| T/IAWBS 014-2021 | 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 | 现行 | 2021-09-15 | 2021-09-22 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 006-2018 | 碳化硅混合模块测试方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| SJ/T 11501-2015 | 碳化硅单晶晶型的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |