Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 11503-2015 | 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11504-2015 | 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11500-2015 | 碳化硅单晶晶向的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GB/T 32278-2015 | 碳化硅单晶片平整度测试方法 | 废止 | 2015-12-10 | 2017-01-01 |
| GB/T 30866-2014 | 碳化硅单晶片直径测试方法 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-02-01 |
| SJ/T 11499-2015 | 碳化硅单晶电学性能的测试方法 | 废止 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 006-2018 | 碳化硅混合模块测试方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/CSAE 232-2021 | 电动汽车碳化硅电机控制器效率测试方法 | 现行 | 2021-10-26 | 2021-10-26 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12069-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管电参数测试方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 25188-2010 | 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法 | 现行 | 2010-09-26 | 2011-08-01 |
| GB/T 31225-2014 | 椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法 | 现行 | 2014-09-30 | 2015-04-15 |
| GB/T 43612-2023 | 碳化硅晶体材料缺陷图谱 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 16555-2017 | 含碳、碳化硅、氮化物耐火材料化学分析方法 | 废止 | 2017-09-07 | 2018-08-01 |
| SN/T 1039-2020 | 进出口吨包装碳化硅取样制样方法 | 现行 | 2020-08-27 | 2021-03-01 |
| SN/T 5683-2024 | 硅铁和硅渣混合物中硅、硅铁（FeSi2）、α-碳化硅的定量相分析 X射线衍射K值法 | 现行 | 2024-12-31 | 2025-07-01 |
| GB/T 37254-2018 | 高纯碳化硅 微量元素的测定 | 现行 | 2018-12-28 | 2019-09-01 |