Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications―Specifications and measuring methods
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 30118-2013 | 声表面波（SAW）器件用单晶晶片规范与测量方法 | 现行 | 2013-12-17 | 2014-05-15 |
| GB/T 30118-2026 | 声表面波（SAW）器件用单晶晶片规范与测量方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| T/ZZB 0497-2018 | 声表面波器件用单晶晶片 | 现行 | 2018-08-31 | 2018-09-30 |
| T/ZZB 0497-2018 | 声表面波器件用单晶晶片 | 现行 | 2018-08-31 | 2018-09-30 |
| GB/T 43023-2023 | 射频声表面波（SAW）器件和体声波（BAW）器件的非线性测量指南 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-01-01 |
| GB/T 48108-2026 | 射频（RF）声表面波（SAW）及体声波（BAW）器件功率耐久性测试指南 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 26071-2018 | 太阳能电池用硅单晶片 | 废止 | 2018-09-17 | 2019-06-01 |
| GB/T 32278-2025 | 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 5238-2019 | 锗单晶和锗单晶片 | 现行 | 2019-06-04 | 2020-05-01 |
| GB/T 26071-2026 | 太阳能电池用硅单晶及硅单晶片 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| GB/T 30868-2025 | 碳化硅单晶片微管密度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 34481-2017 | 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 | 现行 | 2017-10-14 | 2018-07-01 |
| T/ZSA 231-2024 | 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2024-05-15 | 2024-05-16 |
| T/IAWBS 016-2022 | 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2022-03-17 | 2022-03-24 |
| T/IAWBS 015-2021 | 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2021-09-15 | 2021-09-22 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| GB/T 5238-2009 | 锗单晶和锗单晶片（外文版EN） | 废止 | 2018-06-07 |