Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications―Specifications and measuring methods
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| GB/T 25188-2010 | 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法 | 现行 | 2010-09-26 | 2011-08-01 |
| YS/T 27-1992 | 晶片表面微粒沾污测量和计数的方法 | 现行 | 1992-03-09 | 1993-01-01 |
| GB/T 26070-2010 | 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| GB/T 24578-2024 | 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 | 现行 | 2024-07-24 | 2025-02-01 |
| T/CASAS 032-2023 | 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 | 现行 | 2023-06-19 | 2023-06-19 |
| YS/T 1703-2024 | 晶片包装片盒表面颗粒的测试 液体颗粒计数法 | 现行 | 2024-10-24 | 2025-05-01 |
| JB/T 7273.8-2014 | 背面波纹手轮 | 废止 | 2014-07-14 | 2014-11-01 |
| JB/T 7273.8-1994 | 背面波纹手轮 | 废止 | 1994-06-18 | 1995-01-01 |
| GB/T 32189-2015 | 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-11-01 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| SJ/T 11503-2015 | 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11504-2015 | 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| GB/T 16595-2019 | 晶片通用网格规范 | 现行 | 2019-03-25 | 2020-02-01 |
| GB/T 16596-2019 | 确定晶片坐标系规范 | 现行 | 2019-03-25 | 2020-02-01 |