Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4-1: Microwave diodes and transistors - Microwave field effect transistors - Blank detail specification
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| JB/T 9687.2-1999 | 电力半导体器件用钨圆片 | 现行 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| GB/T 41853-2022 | 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量 | 现行 | 2022-10-12 | 2022-10-12 |
| GB/T 41852-2022 | 半导体器件 微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法 | 现行 | 2022-10-12 | 2022-10-12 |
| JB 5781-1991 | 电力半导体器件用型材散热器 技术条件 | 现行 | 1991-10-17 | 1992-10-01 |
| GB/T 45722-2025 | 半导体器件 恒流电迁移试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45718-2025 | 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45720-2025 | 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 32817-2016 | 半导体器件 微机电器件 MEMS总规范 | 现行 | 2016-08-29 | 2017-03-01 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| SJ/T 11866-2022 | 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11817-2022 | 半导体光电子器件 灯丝灯用发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 10705-1996 | 半导体器件键合丝表面质量检验方法 | 现行 | 1996-07-22 | 1996-11-01 |
| SJ/T 10535-1994 | 半导体器件用钨舟 | 现行 | 1994-08-08 | 1994-12-01 |
| GB/T 7423.3-1987 | 半导体器件散热器 叉指形散热器 | 现行 | 1987-03-16 | 1987-11-01 |
| GB/T 7423.1-1987 | 半导体器件散热器 通用技术条件 | 现行 | 1987-03-16 | 1987-11-01 |
| GB/T 43967-2024 | 空间环境 宇航用半导体器件单粒子效应脉冲激光试验方法 | 现行 | 2024-04-25 | 2024-04-25 |
| GB/T 36360-2018 | 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |