GaN on Si epitaxial wafers for HEMT power devices
即将实施
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 11851-2022 | 半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11850-2022 | 半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11849-2022 | 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 10617-2017 | 电子元器件详细规范 低功率非线绕固定电阻器RT13型碳膜固定电阻器 评定水平E | 现行 | 2017-11-07 | 2018-01-01 |
| SJ/T 11866-2022 | 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11865-2022 | 功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 10872-2000 | 电子元器件详细规范 低功率非线绕固定电阻器RJ15型金属膜固定电阻器 评定水平E | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
| SJ/T 11227-2000 | 电子元器件详细规范 3DA98型NPN硅高频大功率晶体管 | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
| SJ/T 10774-2017 | 电子元器件详细规范 低功率非线绕固定电阻器RT14型碳膜固定电阻器 评定水平E | 现行 | 2017-11-07 | 2018-01-01 |
| SJ/T 11225-2000 | 电子元器件详细规范 3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管 | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
| SJ/T 11226-2000 | 电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管 | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
| GB/T 36360-2018 | 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 36358-2018 | 半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| T/CASAS 033-2024 | SiC MOSFET功率器件开关动态测试方法 | 现行 | 2024-11-19 | 2024-11-19 |
| T/IAWBS 009-2019 | 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| GB/T 6217-2026 | 半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| GB/T 7576-2026 | 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| YD/T 2000.1-2014 | 平面光波导集成光路器件 第1部分：基于平面光波导(PLC)的光功率分路器 | 现行 | 2014-10-14 | 2014-10-14 |