Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for high power bipolar transistors
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 29332-2012 | 半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 现行 | 2012-12-31 | 2013-06-01 |
| GB/T 4587-2023 | 半导体器件分立器件 第7部分：双极型晶体管 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 7576-1998 | 半导体器件分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6219-1998 | 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6217-1998 | 半导体器件分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6590-1998 | 半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 17573-1998 | 半导体器件分立器件和集成电路 第1部分:总则 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6351-1998 | 半导体器件分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 12560-1999 | 半导体器件分立器件分规范 | 现行 | 1999-08-02 | 2000-03-01 |
| GB/T 4023-2015 | 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 | 现行 | 2015-12-31 | 2017-01-01 |
| SJ/T 10149-1991 | 电子元器件图形库 半导体分立器件图形 | 现行 | 1991-04-02 | 1991-07-01 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-04-30 | 2018-07-01 |
| SJ/T 10416-1993 | 半导体分立器件芯片总规范 | 现行 | 1993-12-17 | 1994-06-01 |
| SJ/T 10585-1994 | 半导体分立器件表面安装器件外型尺寸及引线框架尺寸 | 现行 | 1994-08-08 | 1994-12-01 |
| SJ/T 11820-2022 | 半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 249-2017 | 半导体分立器件型号命名方法 | 废止 | 2017-05-12 | 2017-12-01 |
| GB/T 249-2026 | 半导体分立器件型号命名方法 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
| GB/T 11499-2026 | 半导体分立器件文字符号 | 即将实施 |