Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for high power bipolar transistors
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 36359-2018 | 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 4937.34-2024 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分：功率循环 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| SJ/T 11866-2022 | 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 36360-2018 | 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 36358-2018 | 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| T/IAWBS 009-2019 | 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| SJ/T 11393-2009 | 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11400-2009 | 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| T/IAWBS 009-2019 | 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/ZSA 47-2020 | 电动汽车用功率半导体器件可靠性试验方法 | 现行 | 2020-12-06 | 2020-12-07 |
| T/CASAS 011.1-2021 | 车规级半导体功率器件测试认证规范 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |
| SJ/T 11227-2000 | 电子元器件详细规范 3DA98型NPN硅高频大功率晶体管 | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
| SJ/T 10259-1991 | 半导体集成电路CD2822CP双音频功率放大器详细规范 | 现行 | 1991-11-12 | 1992-01-01 |
| GB/T 36356-2018 | 功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 36357-2018 | 中功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |