| SJ/T 11395-2009 | 半导体照明术语 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11402-2009 | 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11398-2009 | 功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 1833-2016 | 半导体分立器件 3DK103型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1480-2016 | 半导体分立器件 3CG130型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 11856.2-2022 | 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第2部分：光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11856.1-2022 | 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第1部分：光源用法布里 泊罗型及分布式反馈型半导体激光器芯片 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11856.3-2022 | 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第3部分：光源用电吸收调制型半导体激光器芯片 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 2658.14-2016 | 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| SJ/T 11397-2009 | 半导体发光二极管用萤光粉 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11393-2009 | 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11399-2009 | 半导体发光二极管芯片测试方法 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 1826-2016 | 半导体分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1834-2016 | 半导体分立器件 3DK104型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 2658.16-2016 | 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分：光电转换效率 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |