主要技术内容
本标准给出了磁随机存储(Magnetic Random-Access Memory; MRAM)芯片测试方法的术语、测试原理、测试环境、测试设备、测试程序等。本标准适用于磁随机存储芯片测试和磁随机存储芯片关键性能（可靠性和电学参数等）验证。
现行
2021-12-23
2022-02-10
本标准给出了磁随机存储(Magnetic Random-Access Memory; MRAM)芯片测试方法的术语、测试原理、测试环境、测试设备、测试程序等。本标准适用于磁随机存储芯片测试和磁随机存储芯片关键性能（可靠性和电学参数等）验证。
北京航空航天大学、北京智芯微电子科技有限公司、北京芯可鉴科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、上海佑磁信息科技有限公司、北京时代民芯科技有限公司、致真存储（北京）科技有限公司、深圳亘存科技有限责任公司、中国电子技术标准化研究院
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| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/GDCKCJH 048-2021 | 紫外分析仪性能要求与检测方法 | 现行 | 2021-12-23 | 2021-12-23 |
| SJ/T 12038-2025 | 模拟芯片设计一致性验证方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12039-2025 | 模数混合芯片设计一致性验证方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12040-2025 | 数字芯片设计一致性验证方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| T/ZJBDT 001.1-2025 | 新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法 第1部分：总则 | 现行 | 2025-01-10 | 2025-01-10 |
| T/ZJBDT 001.2-2025 | 新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法 第2部分：磁随机存储芯片测试 | 现行 | 2025-01-10 | 2025-01-10 |
| T/ZJBDT 001.3-2025 | 新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法 第3部分：相变存储芯片测试 | 现行 | 2025-01-10 | 2025-01-10 |
| T/ZJBDT 001.4-2025 | 新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法 第4部分：阻变存储芯片测试 | 现行 | 2025-01-10 | 2025-01-10 |
| T/QGCML 4423-2024 | 车规级存储控制芯片 | 现行 | 2024-07-12 | 2024-07-27 |
| T/BFIA 007-2021 | 金融安全芯片中央处理器安全技术规范 | 现行 | 2021-12-02 | 2021-12-02 |