Test method for semiconductor equipment reliability, availability and maintainability(RAM)
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 24468-2009 | 半导体设备可靠性、可用性和维修性（RAM）的定义和测量规范 | 废止 | 2009-10-15 | 2009-12-01 |
| GB/T 24468-2025 | 半导体设备可靠性、可用性和维修性（RAM）测量方法 | 即将实施 | 2025-10-05 | 2026-05-01 |
| GB/T 4937.30-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| T/IAWBS 004-2021 | 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法 | 现行 | 2021-09-16 | 2021-09-23 |
| T/IAWBS 004-2017 | 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| GB/T 4937.41-2026 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第41部分：非易失性存储器可靠性试验方法 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
| T/ZSA 47-2020 | 电动汽车用功率半导体器件可靠性试验方法 | 现行 | 2020-12-06 | 2020-12-07 |
| T/CIE 144-2022 | 半导体器件可靠性强化试验方法 | 现行 | 2022-12-31 | 2023-01-31 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12070-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 48168-2026 | 半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| NB/T 20640-2023 | 核电厂可靠性、可用性、可维修性和安全性管理规范 | 现行 | 2023-05-26 | 2023-11-26 |
| GB/T 14099.9-2006 | 燃气轮机 采购 第9部分：可靠性、可用性、可维护性和安全性 | 现行 | 2006-02-07 | 2006-07-01 |
| GB/T 5271.14-2008 | 信息技术 词汇 第14部分：可靠性、可维护性与可用性 | 现行 | 2008-07-18 | 2008-12-01 |
| GB/T 21562-2008 | 轨道交通 可靠性、可用性、可维修性和安全性规范及示例 | 现行 | 2008-03-24 | 2008-11-01 |
| JB/T 12584-2015 | 仪器仪表现场工作可靠性、可用性数据收集指南 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-03-01 |