Test method for excess-charge-carrier recombination lifetime in silicon ingots, silicon bricks and silicon wafers—Noncontact eddy-current sensor
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 42907-2023 | 硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 26068-2018 | 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法 | 现行 | 2018-12-28 | 2019-11-01 |
| GB/T 26068-2010 | 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 | 废止 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| GB/T 37051-2018 | 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法 | 现行 | 2018-12-28 | 2019-04-01 |
| GB/T 1553-2023 | 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 43682-2024 | 纳米技术 亚纳米厚度石墨烯薄膜载流子迁移率及方块电阻测量方法 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| DB65/T 3485-2013 | 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法 | 废止 | 2013-09-20 | 2013-12-01 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 8757-2006 | 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法 | 现行 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 36705-2018 | 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-06-01 |
| GB/T 14146-2021 | 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| GB/T 11068-2006 | 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 | 现行 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| T/CASAS 026-2023 | 碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法 | 现行 | 2023-06-19 | 2023-06-19 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| YS/T 679-2018 | 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法 | 现行 | 2018-10-22 | 2019-04-01 |
| YS/T 679-2008 | 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 | 废止 | 2008-03-12 | 2008-09-01 |
| GB/T 1553-2009 | 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 14146-2009 | 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |