Semiconductor devices—Stress migration test—Part 1: Copper stress migration test
现行
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 15651.4-2017 | 半导体器件 分立器件 第5-4部分:光电子器件半导体激光器 | 现行 | 2017-05-31 | 2017-12-01 |
| GB/T 29332-2012 | 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 现行 | 2012-12-31 | 2013-06-01 |
| GB/T 20870.1-2007 | 半导体器件 第16-1部分：微波集成电路 放大器 | 现行 | 2007-02-09 | 2007-09-01 |
| GB/T 16464-1996 | 半导体器件 集成电路 第1部分:总则 | 现行 | 1996-07-09 | 1997-01-01 |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 15651.7-2024 | 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 15651.5-2024 | 半导体器件 第5-5部分：光电子器件 光电耦合器 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 15651.6-2023 | 半导体器件 第5-6部分：光电子器件 发光二极管 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 20870.2-2023 | 半导体器件 第16-2部分：微波集成电路 预分频器 | 现行 | 2023-09-07 | 2023-09-07 |
| GB/T 20870.5-2023 | 半导体器件 第16-5部分：微波集成电路 振荡器 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-01-01 |
| GB/T 4587-2023 | 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 42709.19-2023 | 半导体器件 微电子机械器件 第19部分：电子罗盘 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 7576-1998 | 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6219-1998 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6217-1998 | 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 17574-1998 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |